RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
47
Autour de -114% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
22
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3179
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link