RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3324
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link