RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
47
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2933
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QHY-YK0 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link