RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
47
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3278
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link