RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
47
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2660
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link