RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
47
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2899
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link