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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3680
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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