RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
47
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3765
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link