RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
47
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3925
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link