RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3803
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link