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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
47
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2769
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905702-082.A00G 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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