Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Note globale
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Note globale
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SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    42 left arrow 47
    Autour de -12% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.6 left arrow 9.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.7 left arrow 5.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 10600
    Autour de 1.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    47 left arrow 42
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.3 left arrow 13.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.9 left arrow 8.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1413 left arrow 2143
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons