RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
47
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2026
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link