RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
47
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2186
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link