RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
47
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3675
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link