RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
41
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
3153
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link