RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
41
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
3419
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link