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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
2284
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
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