RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
41
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
2099
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-2GBPQ 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link