RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
3292
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link