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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3232
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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