RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
40
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3035
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link