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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
66
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
66
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1604
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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