RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3655
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link