RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
40
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2399
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link