RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
40
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2863
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link