RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
40
Autour de -111% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3383
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link