RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
40
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
21.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
17.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
4142
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link