RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
40
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
22.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
20.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
4051
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link