RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
40
Autour de -90% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
4293
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link