RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2362
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link