RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
40
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2545
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link