RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
99
Autour de 60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
99
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1358
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link