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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
40
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3256
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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