RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3634
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link