RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
40
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3049
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link