RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
54
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
54
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2176
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link