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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1764
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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