RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
40
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2060
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link