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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
50
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
50
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2064
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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