RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2341
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 72JSZS4G72L1G9E2A7 32GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link