Comparaison de la RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Note globale

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

40 74

Autour de 46% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.9 7.7

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.6 12.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 12800

Autour de 1.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1789 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns