RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
39
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
39
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
3177
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kllisre 36JSF1G72PZ-1G9K1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link