RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
29
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
3728
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link