RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
3824
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link