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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2945
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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Kingston 9905713-035.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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