RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
49
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
49
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2374
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link