RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
53
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
53
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2310
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link