RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
53
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
53
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2310
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link