RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
43
Autour de -79% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12
11
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
24
Vitesse de lecture, GB/s
11.0
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1393
1433
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link