RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
43
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.0
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1393
2858
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link